填空題對(duì)普通灰鑄鐵工件進(jìn)行低溫退火的目的是為了消除內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)行高溫退火的目的是為了（）、（）。
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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PN結(jié)的基本特性是（）
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對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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