硅片拋光在原理上不可分為（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）