A.10
B.8
C.6
D.5
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A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi),不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
PN結(jié)的基本特性是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列是晶體的是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()