單項選擇題對既有建筑物或應委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
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1.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
2.單項選擇題下列關于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是（）。
A.當檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結構單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
3.單項選擇題砌體結構每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于（）測區(qū)，應將單個構件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
4.單項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測在調查階段下列哪項工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現(xiàn)場調查工程的結構形式、環(huán)境條件
5.單項選擇題砌體抗壓強度的現(xiàn)場檢測技術不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題