A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
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A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
A.10
B.8
C.6
D.5
A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí),按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元,劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi),不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()