單項選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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1.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應力、彈性模量可采用（）。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
2.單項選擇題對既有建筑物或應委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
3.單項選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內測點數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
4.單項選擇題下列關于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是（）。
A.當檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結構單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內，不宜少于6個測區(qū)
5.單項選擇題砌體結構每一個檢測單元內，不宜少于（）測區(qū)，應將單個構件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題