A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
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A.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí),應(yīng)測(cè)量3次,并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
D.開槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()