A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
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A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí),在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C、獨(dú)立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()