A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時,在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標準試塊抗壓
B、C15混凝土標準試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試拉
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()