多項選擇題在酸性氯化銅蝕刻過程出現(xiàn)抗蝕劑破壞的原因可能有()。
A.溶液溫度過高
B.溶液被污染
C.顯影有余膠
D.傳遞速度過快
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1.多項選擇題影響等離子體蝕刻特性好壞的因素包括以下幾個方面()。
A.等離子體蝕刻系統(tǒng)的形態(tài)
B.等離子體蝕刻的參數(shù)
C.光刻膠
D.待蝕刻薄膜的淀積參數(shù)條件
2.多項選擇題濕法蝕刻具有以下哪些缺點()。
A.化學(xué)藥品處理時人員會遭遇的安全問題
B.反應(yīng)溶液及去離子水需花費較高成本
C.光刻膠會產(chǎn)生附著性問題
D.蝕刻不均勻
3.多項選擇題干法蝕刻通常指利用輝光放電方式,產(chǎn)生等離子體來進行圖案轉(zhuǎn)移的蝕刻技術(shù)。其中等離子體含有()。
A.離子、電子
B.中性原子
C.分子
D.自由基
4.多項選擇題廣義而言,所謂的蝕刻技術(shù)可以分為()。
A.干蝕刻
B.濕蝕刻
C.中性蝕刻
D.無側(cè)蝕蝕刻
5.多項選擇題在堿性氯化銅蝕刻中,造成蝕刻過度的原因可能有()。
A.傳送速度太慢
B.pH值過高
C.蝕刻液比重偏低
D.蝕刻液溫度不足
最新試題
電催化劑
題型:名詞解釋
分離的空穴在移動到電極表面后沒有因電極反應(yīng)而消耗,在電極表面聚集形成光電壓,降低能帶彎曲,時Fermi能級向平帶電位移動。
題型:判斷題
半導(dǎo)體可被光能、熱能、電能等激發(fā),使得電子從導(dǎo)帶躍遷至價帶。
題型:判斷題
電催化的本質(zhì)是什么?
題型:問答題
在乙二腈電合成過程中,甲苯磺酸四乙銨鹽的加入可避免丙烯腈游離基離子的質(zhì)子化,提高乙二腈的產(chǎn)率。
題型:判斷題
視覺、動作、同感、熱刺及、饑餓、干渴是屬于生物電化學(xué)效應(yīng)。
題型:判斷題
由于無水流態(tài)氟化氫為劇毒,因此不能用于電合成的溶劑。
題型:判斷題
制作顯示元件和敏感元件屬于電化學(xué)感應(yīng)器,不屬于有機電化學(xué)范疇。
題型:判斷題
有機電合成中的有機溶劑體系由于電阻率高,需要加入支持電解質(zhì)以提高電解液的導(dǎo)電性能和離子遷移性。
題型:判斷題
平衡電極電位越正,越難失去電子,發(fā)生的反應(yīng)有可能接近價帶頂。
題型:判斷題