單項(xiàng)選擇題動態(tài)RAM存儲單元的刷新操作指的是（）

A.向存儲單元寫入一個新數(shù)據(jù)
B.讀存儲單元的同時，并將讀出的值寫回
C.讀存儲單元
D.定時讀存儲單元，并將讀出的值寫回


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2.單項(xiàng)選擇題對一個靜態(tài)存儲單元，說法不正確的是（）

A.行線和列線同時選中時，存儲單元有1位數(shù)據(jù)輸出
B.存儲單元既有正相數(shù)據(jù)輸出，也有反相數(shù)據(jù)輸出
C.存儲單元只有正相數(shù)據(jù)輸出
D.向存儲單元寫入數(shù)據(jù)時，既要提供正相數(shù)據(jù)，也要提供反相數(shù)據(jù)

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于靜態(tài)RAM說法正確的是（）

A.雙極型SRAM由于工作速度快通常用作Cache，MOS型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
B.MOSSRAM由于工作速度快通常用作Cache，雙極型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
C.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用雙極型SRAM
D.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用MOS型SRAM

5.單項(xiàng)選擇題存儲芯片在讀操作時，其讀寫控制器的引腳狀態(tài)應(yīng)該是（）

A./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為低電平
B./CE引腳為低電平，/OE引腳為高電平，/WE引腳為低電平
C./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平
D./CE引腳為高電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平