A.IGBT ，GTO
B.電力MOSFET ，GTR
C.IGBT ，電力MOSFET
D.GTO ，GTR

A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端

A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù)，不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流不利。

A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿

A.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦無(wú)電流，則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通，門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后，門極一旦加反向電壓，則晶閘管就立即關(guān)斷。

A.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。

A.90o
B.150o
C.180o
D.360o

A.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變時(shí)的輸出電流過(guò)小。
B.限制逆變角的最大值，其目的是為了防止逆變失敗而無(wú)法工作。
C.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止輸出電壓太小而無(wú)法工作。
D.限制逆變角的最小值，其目的是為了防止逆變失敗。