電路如圖所示，若更換晶體管，使β由50變?yōu)?00，則電路的電壓放大倍數(shù)（）
A.約為原來的一半
B.基本不變
C.約為原來的2倍
D.約為原來的4倍
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用萬用表直流電壓檔，測得電路中晶體管（硅管）各電極相對于某一參考點(diǎn)的電位如圖所示，從而可以判斷出該晶體管工作在（）
A.放大狀態(tài)
B.飽和狀態(tài)
C.截止?fàn)顟B(tài)
D.倒置狀態(tài)
A.自由電子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素
A.溫度
B.摻雜元素
C.摻雜濃度
D.摻雜工藝
A.0.6V；0.6V
B.0.6V；0.1V
C.0.1V；0.6V
D.0.1V；0.1V
已知某FET的輸出特性如圖所示，試判別它是（）
A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.N溝道JFET
C.P溝道耗盡型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET
最新試題
無線電波中的電場與磁場的夾角應(yīng)為（）。
功放電路工作在乙類放大，在輸入信號的整個周期內(nèi)：（）
多級直接耦合放大器的輸出級通常是（）電路。
采用分壓式偏置電路后，（）基本不隨溫度變化。
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是（）
（）不需要加觸發(fā)信號就會產(chǎn)生輸出。
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV，求負(fù)載電阻RL大小。
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出（）個脈沖。
（）既可以用來調(diào)制，又可以用來解調(diào)。
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了（）。