單項(xiàng)選擇題某內(nèi)存顆粒的標(biāo)號(hào)是HY5PS2G831AMP--Y5，關(guān)于該內(nèi)存條說(shuō)法不正確的是（）

A.容量為２GB
B.有8顆內(nèi)存芯片
C.內(nèi)核為第3代
D.內(nèi)存頻率為667MHz


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1.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存條中用來(lái)保存內(nèi)存速率、容量及內(nèi)存模組廠商等信息的是（）

A.PCB
B.內(nèi)存芯片
C.內(nèi)存顆?？瘴?br /> D.SPD

3.單項(xiàng)選擇題以下磁盤(pán)性能參數(shù)中，衡量硬盤(pán)最重要的技術(shù)指標(biāo)是（）

A.硬盤(pán)轉(zhuǎn)速
B.硬盤(pán)容量
C.硬盤(pán)接口類型
D.硬盤(pán)緩存大小

4.單項(xiàng)選擇題要提高CPU的性能，CPU生產(chǎn)商常采用的方法包括（）

A.提高CPU的時(shí)鐘頻率
B.增加Cache的容量
C.采用超線程技術(shù)
D.以上均是

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于CPU的封裝技術(shù)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.封裝越薄越好
B.芯片面積于封裝面積之比盡量接近1：1
C.為防止干擾，引腳間的距離應(yīng)盡量遠(yuǎn)些
D.為保證與插槽之間的良好接觸，引腳要盡量長(zhǎng)些