MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。