單項選擇題玻璃配合料的均勻度一般要求大于()

A、85%
B、90%
C、95%
D、98%


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1.單項選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括()

A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛

2.單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()

A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷

3.單項選擇題下列氧化物中,加入過量會使玻璃的料性變短的是()

A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O

5.單項選擇題能夠單獨形成玻璃網(wǎng)絡形成體的單鍵能一般大于()

A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol

最新試題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:單項選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項選擇題

一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項選擇題

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();

題型:單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

題型:單項選擇題

與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()

題型:單項選擇題

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項選擇題

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項選擇題