A.通態(tài)壓降低
B.開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小
C.安全工作區(qū)比GTR大，耐脈沖電流沖擊能力
D.需要較大的驅(qū)動(dòng)功率

A.比電壓型器件驅(qū)動(dòng)功率小
B.兩種載流子導(dǎo)電
C.存在二次擊穿現(xiàn)象
D.具有全控性

A.晶閘管單相交流調(diào)壓電路對(duì)晶閘管控制角α進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓
B.晶閘管單相交流調(diào)壓電路對(duì)晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷周期數(shù)進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓
C.晶閘管單相交流調(diào)壓電路僅對(duì)晶閘管的導(dǎo)通周期數(shù)進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓與電流
D.晶閘管單相交流調(diào)壓電路僅對(duì)晶閘管的導(dǎo)通周期數(shù)進(jìn)行控制，調(diào)節(jié)輸出電壓與電流以及功率因數(shù)

A.用計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時(shí)，自然采樣法比規(guī)則采樣法更容易實(shí)現(xiàn)，計(jì)算量少
B.用計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時(shí)，規(guī)則采樣法比自然采樣法更容易實(shí)現(xiàn)
C.用計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時(shí)，自然采樣法與規(guī)則采樣法是一樣的，只是稱謂不同而已
D.用計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)三相橋式逆變電路PWM控制時(shí)，自然采樣法與規(guī)則采樣法是一樣的，稱謂不同是電路的結(jié)構(gòu)不同造成的

A.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負(fù)，故可工作于第1象限和第3象限
B.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負(fù)，故可工作于4個(gè)象限
C.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負(fù)，但輸出電壓是一種極性，故可工作于第1象限、第2象限和第3象限
D.電流可逆斬波電路是降壓與升壓斬波電路的組合，電樞電流可正可負(fù)，但輸出電壓是一種極性，故可工作于第1象限和第2象限

A.如果電力電子裝置中已經(jīng)安裝了快速熔斷器，則不需要其它過電流保護(hù)措施
B.對(duì)重要的、且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)行過電流保護(hù)，響應(yīng)最快
C.快速熔斷器僅用于部分區(qū)段的過載保護(hù)
D.快速熔斷器僅用于短路時(shí)保護(hù)

A.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
B.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
C.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離
D.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離

A.將功率自關(guān)斷器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測(cè)、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路
B.將功率自關(guān)斷器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測(cè)、自診斷等信息電子電路封裝在一起，稱為功率集成電路
C.功率自關(guān)斷器件稱為功率集成電路
D.功率半控器件的驅(qū)動(dòng)集成電路稱為功率集成電路

A.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR慢
B.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比電力MOSFET快
C.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR快
D.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其驅(qū)動(dòng)電流很大

A.門極可關(guān)斷晶閘管GTO不是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
B.門極可關(guān)斷晶閘管GTO與晶閘管SCR的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不一樣
C.門極可關(guān)斷晶閘管GTO是PPPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
D.門極可關(guān)斷晶閘管GTO是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)