常壓的硅外延方法有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。