單項選擇題?關于關斷緩沖電路，表述正確的是（）

A.di/dt抑制電路又稱為關斷緩沖電路，用于吸收器件的關斷過電壓和換相過電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關斷緩沖電路，用于吸收器件的關斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小器件的開通損耗
C.關斷緩沖電路用于抑制器件的電流過沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關斷緩沖電路，用于吸收器件的關斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關斷損耗


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1.單項選擇題關于電力電子裝置過電壓，表述正確的是（）

A.需采取措施對電力電子裝置進行過電壓保護
B.電力電子裝置過電壓分為外因過電壓、操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關斷過電壓5類
C.雷擊過電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進行保護
D.電力電子裝置過電壓分為操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關斷過電壓4類

2.單項選擇題?關于相控電路的驅(qū)動電路，表述正確的是（）

A.相控驅(qū)動電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小可以確定控制相位
B.相控驅(qū)動電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小基本可以確定控制相位
C.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同，兩者相位關系則隨外加控制信號的變化而變化
D.相控驅(qū)動電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號頻率與主電路電源的頻率相同且相位關系確定

3.單項選擇題?關于晶閘管觸發(fā)電路的輸出脈沖，表述正確的是下面哪個？（）

A.觸發(fā)脈沖瞬時功率不得大于平均功率定額
B.觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度，觸發(fā)脈沖寬度無要求
C.脈沖寬度應使晶閘管可靠導通，觸發(fā)脈沖應有足夠的寬度與幅度
D.觸發(fā)脈沖寬度無要求，觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度

4.單項選擇題?關于驅(qū)動電路的電氣隔離，表述正確的是下面哪個？（）

A.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
B.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離
C.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
D.電力電子器件驅(qū)動電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離

5.單項選擇題有關電力電子器件驅(qū)動，表述正確的是（）

A.電流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型電力電子器件都具有輸入阻抗高的特點
B.電壓驅(qū)動型電力電子器件具有輸入阻抗高的特點
C.流驅(qū)動型和電壓驅(qū)動型電力電子器件輸入阻抗相同
D.電流驅(qū)動型的電力電子器件具有輸入阻抗高的特點

6.單項選擇題關于絕緣柵雙極晶體管安全工作區(qū)，表述正確的是（）

A.相同電壓和電流定額時，IGBT的安全工作區(qū)比GTR窄
B.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR稍窄
C.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣
D.相同電壓和電流定額時，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬

7.單項選擇題關于MOSFET的開關速度，表述正確的是（）

A.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時幾乎不需輸入電流，開通關斷過程時間長
B.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時柵極需輸入大電流，開通關斷過程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲存效應，開通關斷過程非常迅速
D.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時需輸入大電流，開通關斷過程時間長

8.單項選擇題?MOSFET的輸出特性分為（）

A.MOSFET的輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)

9.單項選擇題有關GTR的二次擊穿現(xiàn)象表述正確的是（）

A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象，但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關
B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線
C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關
D.GTR的安全工作區(qū)是矩形的

10.單項選擇題對晶閘管額定電流表述正確的是下面哪個？（）

A.允許流過最大電流的平均值
B.允許流過最大方波電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大的工頻正弦半波電流的平均值