什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？