版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。