A.C因素即洞形因素，指充填窩洞的樹脂產(chǎn)生粘結(jié)的面與未粘結(jié)的面之比
B.不同的C因素充填體所形成的聚合應(yīng)力不同
C.C因素越高，聚合收縮應(yīng)力就越小
D.同樣體積的Ⅰ類窩洞，深而窄窩洞充填樹脂的聚合收縮應(yīng)力較大，淺而寬窩洞的樹脂收縮應(yīng)力較小
E.臨床采用分層充填和固化的操作方法可有效減少聚合收縮應(yīng)力

A.光源的功率不能少于300mW/cm²
B.復(fù)合樹脂表面受光強(qiáng)度與光源引導(dǎo)頭距復(fù)合樹脂的距離成正比
C.光源引導(dǎo)頭與材料表面的距離超過3mm，強(qiáng)度會(huì)顯著減少
D.光照材料表面可產(chǎn)生65%的轉(zhuǎn)換率，在材料內(nèi)2mm處轉(zhuǎn)換率為45%，在材料內(nèi)3～4mm處轉(zhuǎn)換率只有15%
E.臨床上充填和固化的材料每層厚度不超過2mm

A.85°
B.90°
C.45°
D.60°
E.95°

A.去凈齲損組織
B.保護(hù)牙髓組織
C.盡量保留健康牙體組織
D.應(yīng)注意固位形和抗力形的預(yù)備
E.注意患者全身狀況

A.齲損已至牙本質(zhì)深層
B.大多數(shù)有冷、熱激發(fā)痛
C.對(duì)甜酸食物較為敏感
D.偶爾也會(huì)出現(xiàn)自發(fā)痛
E.齲洞嵌入食物有疼痛

A.保留極近牙髓的少量軟化牙本質(zhì)
B.必要時(shí)可不必底平壁直
C.洞底墊氫氧化鈣1～2mm以促進(jìn)第3期牙本質(zhì)形成
D.制備抗力形和固位形
E.齲損牙能完全去凈而牙髓基本正常的患牙，可一次完成治療

A.釉質(zhì)鈣化不全、釉質(zhì)發(fā)育不全和氟牙癥
B.釉質(zhì)鈣化不全、釉質(zhì)發(fā)育不全
C.釉質(zhì)發(fā)育不全和慢性牙髓炎
D.釉質(zhì)鈣化不全和氟牙癥
E.氟牙癥和可復(fù)性牙髓炎

A.探診齲損，叩診牙面，冷、熱測(cè)試，X線檢查
B.視診牙面，觸診牙面，冷、熱測(cè)試，X線檢查
C.視診牙面，觸診牙面，叩診牙面，冷、熱測(cè)試
D.視診牙面，探診齲損，叩診牙面，X線檢查
E.視診牙面，探診齲損，冷、熱測(cè)試，X線檢查

A．唇頰面
B．舌腭面
C．近中面
D．遠(yuǎn)中面
E．咬合面

A．自潔區(qū)
B．邊緣嵴
C．滯留區(qū)
D．舌面
E．牙尖