A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
E.±10%
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A.當SSD改變時,TMR不變
B.當SSD減小時,TMR增大
C.當SSD增大時,TMR減小
D.當SSD增大時,TMR增大
E.當SSD減小時,TMR減小
A.沿軸向分布的電場和磁場
B.沿橫向分布的電場和磁場
C.沿軸向分布的電場和沿橫向分布的磁場
D.沿橫向分布的電場和沿軸向分布的磁場
E.沿軸分布方向相反的電場和磁場
A.與受照最大劑量關聯(lián)較強,與受照體積關聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關聯(lián)較強,與受熙、體積關聯(lián)較強
C.與受照最大劑量關聯(lián)較弱,與受照體積關聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關聯(lián)較弱,與受照體積關聯(lián)較強
E.只和受照最大劑量有關
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對較小,射野大小對表面劑量影響很大
A.對于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設計所導致的
D.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設計所導致的
E.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設計所導致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會改變
B.射野的劑量均勻性不變,半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好,半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)增寬
A.l個
B.2個
C.4個
D.8個
E.16個
A.計時器的準確性
B.18mm頭盔準直器的總輸出劑量
C.每個頭盔的相對輸出因子
D.每個靶點的定位坐標
E.應急電源
A.機器輸出劑量率的變化
B.外照射中的平方反比參數(shù)
C.射野中擋塊對輸出劑量的影響
D.托盤因子的影響
E.契形因子的影響
最新試題
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應采用雙平面插植。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
等效射野指的是通過計算換算后的方形野。
質量保證和質量控制的簡稱分別為QA、QC。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質指數(shù)或能量指數(shù)。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
源皮距越小,百分深度劑量越大。