厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。