多項選擇題大容量試品交流耐壓試驗時,對試驗設(shè)備的主要要求是()應(yīng)滿足試驗要求。

A.電壓
B.電流
C.頻率
D.氣壓


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1.多項選擇題測量絕緣電阻及直流泄漏電流通常能發(fā)現(xiàn)的設(shè)備絕緣缺陷是()。

A.貫穿性缺陷
B.整體受潮
C.小體積試品的局部缺陷
D.大體積試品的局部缺陷

3.單項選擇題在棒板間隙加電壓時,棒為負極時,()。

A.電暈起始電壓較低,而擊穿電壓較高
B.擊穿電壓較低,而電暈起始電壓較高
C.電暈起始電壓和擊穿電壓均較低
D.電暈起始電壓和擊穿電壓均較高

4.單項選擇題用倒相法消除外電場對tgδ測量的干擾,需要先在試驗電源正、反相兩種極性下,測量兩組數(shù)據(jù):C1tgδ1、C2tgδ2,然后按公式()計算出試品的實際的tgδ值。

A.tgδ=(tgδ1+tgδ2)/2
B.tgδ=(C1tgδ1+C2tgδ2)/(C1-C2)
C.tgδ=(C1tgδ1+C2tgδ2)/(C1+C2)
D.tgδ=(C2tgδ1+C1tgδ2)/(C1+C2)

5.單項選擇題下列原因中,不是產(chǎn)生局部放電的原因有()。

A.由于絕緣體內(nèi)部或表面存在氣隙(泡)而導(dǎo)致氣隙(泡)內(nèi)的放電
B.絕緣體中若有導(dǎo)電雜質(zhì)存在,則在此雜質(zhì)邊緣由于電場集中,也會出現(xiàn)局部放電
C.在高電壓端頭上,如電纜的端頭等部位,由于電場集中,而且沿面放電的場強比較低,往往就沿著介質(zhì)與空氣的交界面上產(chǎn)生表面局部放電
D.絕緣結(jié)構(gòu)形式