A.介質(zhì)中的離子增多
B.電導(dǎo)電流增大
C.極化過(guò)程中分子間隙的阻力增加
D.電壓降低
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你可能感興趣的試題
A.電容分壓器
B.放電間隙
C.高壓互感器
D.高壓靜電電壓表
A.光纖微彎效應(yīng)
B.被測(cè)信號(hào)改變光纖對(duì)光波的吸收特性
C.被測(cè)信號(hào)改變光纖的折射率
D.兩相位光纖間通過(guò)有倏逝波的耦合
A.直流
B.交流
C.雷電過(guò)電壓操作
D.沖擊波
A.試品電容
B.電容分壓器電容
C.調(diào)諧電感
D.整個(gè)高壓試驗(yàn)回路中損耗的等值電阻
A.放電重負(fù)率
B.放電的能量
C.放電平均電流
D.局部放電起始電壓
最新試題
電容式傳感器最常用的形式是由兩個(gè)平行電極組成、極間以空氣為介質(zhì)的電容器。
對(duì)現(xiàn)場(chǎng)使用的電氣儀器儀表,儀表本身消耗的功率越小越好，否則在測(cè)小功率時(shí)，會(huì)使電路工況改變而引起附加誤差。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過(guò)硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。
采用搖表（或接地電阻測(cè)試儀）由于輸出測(cè)試電流小，不用布放那么長(zhǎng)的電壓線和電流線。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備以加強(qiáng)絕緣時(shí)，應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
真空斷路器具有體積小、重量輕、維護(hù)工作量小等優(yōu)點(diǎn)，適用于超高壓系統(tǒng)。
在現(xiàn)場(chǎng)相同條件下（好天氣），用介損儀測(cè)量小電容試品的tgδ和Cx時(shí)，用正接線方法和反接線方法測(cè)量結(jié)果是完全相同的。
考慮系統(tǒng)短路電流產(chǎn)生的動(dòng)穩(wěn)定和熱穩(wěn)定效應(yīng)的電氣設(shè)備有變壓器、斷路器、電流互感器、耦合電容器。