A.溫度
B.濕度
C.電流
D.電壓
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A.由于絕緣體內(nèi)部或表面存在氣隙（泡）而導(dǎo)致氣隙（泡）內(nèi)的放電
B.絕緣體中若有導(dǎo)電雜質(zhì)存在，則在此雜質(zhì)邊緣由于電場(chǎng)集中，也會(huì)出現(xiàn)局部放電
C.在高電壓端頭上，如電纜的端頭等部位，由于電場(chǎng)集中，而且沿面放電的場(chǎng)強(qiáng)比較低，往往就沿著介質(zhì)與空氣的交界面上產(chǎn)生表面局部放電
D.絕緣結(jié)構(gòu)形式
A.電壓高
B.電場(chǎng)強(qiáng)度高
C.電流大
D.電流密度高
E.泄漏電流大
A.變壓器各金屬結(jié)構(gòu)件（如電容環(huán)、壓板、夾件等）或油箱壁中，由于漏磁通所致的附加損耗過(guò)大
B.油箱蓋或套管法蘭等的渦流損耗過(guò)大
C.其它附加損耗的增加
D.繞組的并繞導(dǎo)線有短路或錯(cuò)位
A.降低電壓試驗(yàn)
B.非額定頻率下的空載試驗(yàn)
C.電壓波形的校正
D.電流波形的校正
A.測(cè)量電位分布
B.火花間隙放電
C.熱紅外測(cè)量
D.測(cè)量絕緣電阻
最新試題
GIS耐壓試驗(yàn)之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗(yàn)的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動(dòng)微粒雜質(zhì)遷移到低電場(chǎng)區(qū)，并通過(guò)放電燒掉細(xì)小微?；螂姌O上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。
交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。
雙斷口的SF6系列斷路器有兩個(gè)斷口，為了使各個(gè)斷口在分、合閘時(shí)承受接近均等的電壓，一般用電容進(jìn)行均壓。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí)，當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí)，應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
超高頻局部放電試驗(yàn)?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。
液壓機(jī)構(gòu)的合閘電磁鐵的動(dòng)鐵心卡死，是造成不能可靠合閘的重大隱患。
真空斷路器具有體積小、重量輕、維護(hù)工作量小等優(yōu)點(diǎn)，適用于超高壓系統(tǒng)。
將兩臺(tái)試驗(yàn)變壓器串級(jí)進(jìn)行交流耐壓試驗(yàn)時(shí)，若第一級(jí)試驗(yàn)變壓器串級(jí)繞組極性接反，會(huì)造成最終輸出試驗(yàn)電壓為零。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開(kāi)關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡(jiǎn)稱可控串補(bǔ)。