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問(wèn)答題NaI（T1）閃爍體的衰變時(shí)間（即衰變常數(shù)倒數(shù)）為230ns，忽略光電倍增管引入的任何時(shí)間展寬，求閃爍探測(cè)器陽(yáng)極電路時(shí)間常數(shù)為10，000和1000ns時(shí)的電壓脈沖幅度。

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1.問(wèn)答題Φ4×0.8mm金硅面壘探測(cè)器測(cè)α能譜時(shí)，當(dāng)E_α＝0時(shí)相應(yīng)于零道，對(duì)²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子譜峰位于116道，如果重離子能量為21.00MeV譜峰被記錄在402道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。

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2.問(wèn)答題比較比Si材料和用Ge材料做成的探測(cè)器由于電子－空穴對(duì)的統(tǒng)計(jì)漲落對(duì)分辨率的影響。如果除了統(tǒng)計(jì)漲落外，所有其他因素對(duì)譜線寬度的貢獻(xiàn)為5kev，那么對(duì)Si和Ge來(lái)說(shuō)，探測(cè)多大能量的粒子才會(huì)形成20kev的線寬？

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3.問(wèn)答題絕對(duì)峰效率為38％的NaI（T1）閃爍探測(cè)器，對(duì)⁵⁷Co源的122kevγ射線測(cè)量15min光電峰計(jì)數(shù)146835個(gè)。然后同樣的源置于離表面積為3600mm²的Si（Li）探測(cè)器的表面為10㎝記錄60得到一個(gè)譜。如果在7.1kev的K_βX射線峰下面的計(jì)數(shù)為932個(gè)，那么在這個(gè)能量時(shí)Si（Li）探測(cè)器的效率是多少？（對(duì)于⁵⁷Co的特征X射線和γ射線的強(qiáng)度比X/γ分別為：對(duì)6.40kev的K_α線為0.5727，對(duì)7.1kev的K_β線為0.7861。

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4.問(wèn)答題本征層厚度為3mm的一個(gè)380mm²的平面Ge（Li）探測(cè)器對(duì)距它表面100㎜處0.25MBq的¹³⁷Csγ射線源測(cè)量5min所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面的計(jì)數(shù)（R＝20/1）。

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5.問(wèn)答題一個(gè)Ge（Li）探頭相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）閃爍體有8％的光電峰效率。求對(duì)于距探測(cè)器40㎝處一個(gè)3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co點(diǎn)源的1.33MeV全能峰計(jì)數(shù)率。

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