如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。