光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）