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問(wèn)答題生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

1.問(wèn)答題什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝？

淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。
取代了局域氧化工藝（LOCOS）

2.問(wèn)答題離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么？

3.問(wèn)答題刻蝕工藝的目的是什么，這個(gè)區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？

目的：硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。
常用設(shè)備：等離子刻蝕機(jī)，等離子體去膠機(jī)和濕法清洗設(shè)備。

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域。

光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)

5.問(wèn)答題列出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)區(qū)域做簡(jiǎn)單的描述。