單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
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1.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
2.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有（）。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
3.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
4.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
5.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
A.臺板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題