三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。