判斷題EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí),柵源之間的電壓必定大于零。
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3.單項(xiàng)選擇題下列場效應(yīng)管中,無原始導(dǎo)電溝道的為()。
A.N溝道JFET
B.增強(qiáng)~AIPMOS管
C.耗盡型NMOS管
D.耗盡型PMOS管
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)UGS=0時(shí),()管不可能工作在恒流區(qū)。
A.JFET
B.增強(qiáng)型MOS管
C.耗盡型MOS管
D.NMOS管
5.單項(xiàng)選擇題()具有不同的低頻小信號電路模型。
A.NPN型管和PNP型管
B.增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管
C.N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
D.晶體管和場效應(yīng)管
最新試題
要改善分壓式偏置電路的溫度特性,可以用一個()的熱敏電阻與上偏置電阻RB1并聯(lián)。
題型:單項(xiàng)選擇題
多級直接耦合放大器的輸出級通常是()電路。
題型:單項(xiàng)選擇題
()不需要加觸發(fā)信號就會產(chǎn)生輸出。
題型:單項(xiàng)選擇題
哪一種傳輸器件傳輸?shù)碾姴l率高?()
題型:單項(xiàng)選擇題
場效應(yīng)管的工作是通過()實(shí)現(xiàn)的。
題型:單項(xiàng)選擇題
三種組態(tài)放大電路中,具有電壓反相作用的電路是:()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一波段的傳播是以空間直線傳播的方式進(jìn)行?()
題型:單項(xiàng)選擇題
哪一種信號可產(chǎn)生電磁波?()
題型:單項(xiàng)選擇題
N溝道和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
甲類放大器與其它類放大器相比,()。
題型:單項(xiàng)選擇題