判斷題EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí),柵源之間的電壓必定大于零。

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3.單項(xiàng)選擇題下列場效應(yīng)管中,無原始導(dǎo)電溝道的為()。

A.N溝道JFET
B.增強(qiáng)~AIPMOS管
C.耗盡型NMOS管
D.耗盡型PMOS管

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)UGS=0時(shí),()管不可能工作在恒流區(qū)。

A.JFET
B.增強(qiáng)型MOS管
C.耗盡型MOS管
D.NMOS管

5.單項(xiàng)選擇題()具有不同的低頻小信號電路模型。

A.NPN型管和PNP型管
B.增強(qiáng)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管
C.N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
D.晶體管和場效應(yīng)管