問(wèn)答題
假設(shè)某項(xiàng)化學(xué)氣相淀積工藝受反應(yīng)速率控制，在700 ℃和800 ℃時(shí)的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請(qǐng)計(jì)算在900℃下的淀積速率是多少？實(shí)際測(cè)量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠(yuǎn)低于計(jì)算值，說(shuō)明什么？怎樣證明？（化學(xué)氣相淀積的反應(yīng)速率常數(shù)
）
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2.問(wèn)答題
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識(shí)別并描述每個(gè)工藝步驟。
3.問(wèn)答題
依照如圖，對(duì)硅片制造廠(chǎng)的六個(gè)分區(qū)分別做一個(gè)簡(jiǎn)短的描述，要求寫(xiě)出分區(qū)的主要功能、主要設(shè)備以及顯著特點(diǎn)。
4.多項(xiàng)選擇題對(duì)于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
5.單項(xiàng)選擇題離子注入過(guò)程是一個(gè)非平衡過(guò)程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來(lái)。停下來(lái)的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒(méi)有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)
最新試題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題