填空題電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路分為（）和（）。

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2.單項(xiàng)選擇題IGBT的3個(gè)引出電極分別是（）

A.陽極、陰極、門極
B.陽極、陰極   柵極
C.柵極、源極  漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極

3.單項(xiàng)選擇題用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時(shí)，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

A.開路
B.短路
C.接線錯(cuò)誤
D.測量方法錯(cuò)誤

4.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿

5.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

6.單項(xiàng)選擇題電力晶體管在使用時(shí)，要防止（）。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時(shí)間久而失效
D.工作在開關(guān)狀態(tài)

7.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）是理想的（）控制器件。

A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率

8.單項(xiàng)選擇題功率晶體管（GTR）從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為（）。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至

最新試題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長度為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

3個(gè)JK觸發(fā)器，通過電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型：單項(xiàng)選擇題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼，需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型：判斷題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（）

題型：單項(xiàng)選擇題

將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。

題型：判斷題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型：判斷題

由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。

題型：單項(xiàng)選擇題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。

題型：單項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）

題型：多項(xiàng)選擇題