填空題干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。
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1.單項(xiàng)選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長(zhǎng)SiO2相比較，下面哪些說(shuō)法是正確的：（）。
1.熱生長(zhǎng)SiO2只能在Si襯底上生長(zhǎng)；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
3.填空題雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和（）式擴(kuò)散。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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