IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。