摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。