判斷題濕法刻蝕前的打膠工序，主要作用是改善硅片親水性，打掉光刻顯影底膜。

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3.單項選擇題下面的標準工序段中，正確的是（）。

A.CO-ET：刻蝕烘烤-打膠-CO干刻-刻蝕測膜厚-濕法腐蝕-濕法去膠-刻蝕后檢
B.LA-ET：刻蝕烘烤-打膠-鋁濕刻-鋁干刻-干法去膠-刻蝕后檢
C.PA-ET：刻蝕烘烤-干刻壓點-刻蝕測膜厚-干法去膠-刻蝕后檢
D.濕法腐蝕：刻蝕烘烤-打膠-濕法腐蝕-刻蝕測膜厚-濕法去膠-刻蝕后檢

4.單項選擇題干法刻蝕前有的工序段會有烘烤，它的作用主要是（）。

A.防止侵蝕
B.防止未蝕凈
C.讓臺階角度更陡
D.防止皺膠

5.單項選擇題SIO2、SIN干法刻蝕主要是通過哪種氣體進行刻蝕反應？（）

A.含CL基氣體
B.含F(xiàn)基氣體
C.含C基氣體
D.O2

6.單項選擇題SIO2干法刻蝕，刻蝕后CD的影響因素有（）。

A.刻蝕時間
B.聚合物的多少
C.光刻膠CD
D.以上都對

7.單項選擇題鋁后處理HNO3、CH3COOH、HF混合液的主要作用是（）。

A.去除聚合物
B.去除金屬離子
C.去除顆粒沾污
D.去除硅渣

8.單項選擇題如果SiO2濕法腐蝕想獲得更緩的臺階角度，以下方法可行的是（）。

A.升高烘烤溫度
B.降低烘烤溫度
C.改干+濕工藝
D.使用粘附性好的光刻膠

9.單項選擇題BOE腐蝕液是指氫氟酸和以下哪個酸液的混合液？（）

A.硫酸
B.氨水
C.氟化銨
D.雙氧水

10.單項選擇題濕法去膠用到的化學品是硫酸和（）。

A.氫氟酸
B.雙氧水
C.鹽酸
D.磷酸