判斷題半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
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4.單項(xiàng)選擇題MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
最新試題
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
題型：判斷題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。
題型：判斷題
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型：判斷題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
題型：判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
XPS只能檢測(cè)元素種類(lèi)，無(wú)法標(biāo)定元素含量。
題型：判斷題
光電導(dǎo)效應(yīng)
題型：名詞解釋