有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

激活劑

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

光電導(dǎo)效應(yīng)

本征光電導(dǎo)

本征吸收

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。