陰極射線致發(fā)光

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光生伏特效應(yīng)

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

本征吸收

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。