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微電子學(xué)填空題每日一練(2020.04.13)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題晶體管的直流特性曲線可以分為三個(gè)區(qū)域：放大區(qū)，飽和區(qū)，（）。

參考答案：截止區(qū)

2.填空題在PN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時(shí)，以（）電流為主；當(dāng)電壓較高時(shí)，以（）電流為主。

參考答案：勢(shì)壘區(qū)復(fù)合；擴(kuò)散

3.填空題晶體管的高頻小信號(hào)等效電路與直流小信號(hào)等效電路相比，增加了三個(gè)元件，它們是（）、（發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容）和（）。

參考答案：集電結(jié)勢(shì)壘電容；發(fā)射結(jié)擴(kuò)散電容

4.填空題集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

參考答案：提拉法和區(qū)熔法

5.填空題PN結(jié)總的電容應(yīng)該包括勢(shì)壘電容和（）之和。

參考答案：擴(kuò)散電容