微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2020.05.04)

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1.問(wèn)答題 識(shí)別如圖所示工藝，寫(xiě)出每個(gè)步驟名稱(chēng)并進(jìn)行描述。

參考答案：如圖所示工藝每個(gè)步驟名稱(chēng)為：
1 氣相成底膜：清洗、脫水，脫水烘焙后立即用HMDS進(jìn)行成膜處理，起到...

2.問(wèn)答題 施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計(jì)算無(wú)光照和有光照時(shí)的電導(dǎo)率。已知

3.問(wèn)答題列出并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。

1.電阻率的減小。
2.減小了功耗。
3.更高的集成密度。
4.良好的抗電遷徙性能。
5.更少的工藝步驟。

4.填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

參考答案：5微米；多晶硅柵

5 雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是間隙式擴(kuò)散機(jī)制和替代式擴(kuò)散機(jī)制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。

6.問(wèn)答題列出三類(lèi)晶體缺陷并說(shuō)明其形成的原因

參考答案：①點(diǎn)缺陷：晶體雜志原子擠壓晶體結(jié)構(gòu)引起的壓力所致
②位錯(cuò)：晶體生長(zhǎng)條件、晶體內(nèi)的晶格應(yīng)力、制造過(guò)程中的物理?yè)p壞...

7.填空題PN結(jié)的正向電流很大，是因?yàn)檎螂娏鞯碾姾蓙?lái)源是（）；PN結(jié)的反向電流很小，是因?yàn)榉聪螂娏鞯碾姾蓙?lái)源是（）。

參考答案：多子；少子

8.問(wèn)答題版圖驗(yàn)證和檢查包括哪些內(nèi)容？如何實(shí)現(xiàn)？

參考答案：DRC（DesignRuleCheck）：幾何設(shè)計(jì)規(guī)則檢查
對(duì)IC的版圖做幾何空間檢查，保證能在特定的工藝條件...

9.名詞解釋過(guò)刻蝕

參考答案：刻蝕薄膜時(shí)，晶圓內(nèi)的刻蝕速率和薄膜厚度并不完全均勻，主刻蝕后，會(huì)有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的過(guò)程稱(chēng)為過(guò)刻蝕。

10.填空題為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線(xiàn)的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

參考答案：回流；化學(xué)機(jī)械拋光；硼硅玻璃（BSG）、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）