下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。