刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。