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問答題設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S，試計算本征硅在300K下的電導(dǎo)率。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計算其電導(dǎo)率，并將其與本征硅的電導(dǎo)率進(jìn)行比較。

1.問答題室溫下鍺的本征電阻率為47Ω·cm，如果電子和空穴的遷移率分別為3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，試求本征鍺的載流子濃度。

2.問答題計算施主摻雜濃度ND=9×10¹⁵cm^-3及受主摻雜濃度NA=1.1×10¹⁶cm^-3的硅在室溫下的電子濃度和空穴濃度以及費米能級的位置。

3.問答題計算施主濃度分別為10¹⁶、10¹⁸、10¹⁹cm^-3的硅在300K時的費米能級（以本征費米能級作為參考能級），對摻雜濃度相同的受主雜質(zhì)進(jìn)行同樣的計算。

4.問答題簡單解釋費米能級和準(zhǔn)費米能級，說明它們的主要區(qū)別。

5.問答題何謂少子壽命？何謂擴(kuò)散長度？二者有何聯(lián)系？