問(wèn)答題
473K時(shí)硅的求本征硅的電阻率ρi。
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摻雜后,退火的目的是()。
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刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
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光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
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鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
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金屬化中可選用的金屬材料有()。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
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