A.一個(gè)理想開(kāi)關(guān)
B.一個(gè)恒壓源
C.一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻
D.一條斜線
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A.死區(qū)電壓為0.1V，正向?qū)妷簽?.3V
B.死區(qū)電壓為0.3V，正向?qū)妷簽?.5V
C.死區(qū)電壓為0.5V，正向?qū)妷簽?.7V
D.死區(qū)電壓為0.7V，正向?qū)妷簽?.9V
A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少？（）
?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過(guò)電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫(huà)出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，該同學(xué)觀測(cè)到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請(qǐng)問(wèn)此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?